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第1题
硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V,锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。
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第2题
硅二极管的导通电压约为0.6-0.8V,锗二极管的导通电压约为0.2-0.3V。
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第3题
与硅二极管相同,锗二极管的导通电压UD也是约为0.3V。
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第4题
4、硅管的死区电压约为 ,导通电压约为 ;锗管的死区电压约为 ,导通电压约为 。
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第5题
5、硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第6题
【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第7题
【判断题】硅管的死区电压约为0.5,导通电压约为0.7;锗管的死区电压约为0.2,导通电压约为0.3。
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第9题
当加在硅二极管两端正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管()。
A.立即导通
B.到0.3V才开始导通
C.超过死区电压才开始导通
D.不导通
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第10题
锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V;
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第11题
2、在常温下,硅二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。
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