题目
A.主要是由于C、N等间隙原子在缺陷处的偏聚或内吸附；
B.主要是由于合金元素等置换原子在缺陷处的偏聚或内吸附；
C.干扰项1（不选）;
D.干扰项2（不选）;
第1题
第2题
第3题
第4题
A.弥散强化
B.加工硬化
C.细晶强化
D.固溶强化
第5题
第6题
第7题
第8题
第9题
第10题
A.碳化和熟化
B.结晶和陈伏
C.熟化和陈伏
D.结晶和碳化
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