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第1题
(10) PN结内的漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。()
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第2题
PN结加正向电压时,其正向电流是由于()
A.多数载流子扩散形成;
B.多数载流子漂移形成;
C.少数载流子漂移形成;
D.少数载流子扩散形成。
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第3题
对PN结施加反向电压时,参与导电的是()。
A.多数载流子
B.少数载流子
C.既有多数载流子又有少数载流子
D.其余选项都不对
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第4题
当环境温度升高时,二极管的反向饱和电流Is将增大,是因为此时PN结内部的()。
A.多数载流子浓度增大
B.少数载流子浓度增大
C.多数载流子浓度减小
D.少数载流子浓度减小
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第5题
外电场作用下,半导体材料内部空穴的顺电场漂移运动实际上是临近共价键中的()逆电场漂移运动。
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第6题
半导体中的少数载流子产生的原因是 。
A.内电场
B.热激发
C.掺杂
D.外电场
E.本征激发
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第7题
PN结正偏时,多子的扩散加强,形成较大的扩散电流,PN结处于导通状态。
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第8题
当PN结外加正向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 ;当外加反向电压时,扩散电流 漂移电流,耗尽层 。
A.大于,变宽,小于,变窄;
B.大于,变窄,小于,变宽;
C.小于,变窄,大于,变宽;
D.小于,变宽,大于,变窄。
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第9题
相同温度下,PN结的正向电流和电压成——函数关系
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第10题
在PN结两端加上电压,PN结内就有电荷的变化,说明PN结具有电容效应。其中外加正偏电压时,()电容起主要作用。
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