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第1题
在存储器写操作和读操作过程中,选择指定存储单元地址的过程称为()操作
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第2题
随机存储器RAM是指()。
A.存储单元中所存数据是随机的
B.存储单元的地址是随机的
C.数据可以随机地存放在任何存储单元中
D.存储器的读/写操作是随机的
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第3题
进程对管道进行读操作和写操作都可能被阻塞。
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第4题
某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次,且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns,求其刷新的开销(即进行刷新操作的时间所占的百分比)是()
A.3.2%
B.6.4%
C.12.8%
D.25.6%
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第5题
某DRAM芯片内部的存储单元为256x256结构。该芯片每隔2ms至少要刷新一次,且刷新是通过顺序对所有256行的存储单元进行内部读操作和写操作实现的。设存储器周期为500ns,求其刷新的开销(即进行刷新操作的时间所占的百分比)是()
A.3.2%
B.6.4%
C.12.8%
D.25.6%
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第6题
3、进程对管道进行读操作和写操作都可能被阻塞。
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第7题
单选题:只读存储器ROM是指()。 A. 存储单元中所存数据是固定的 B. 存储单元的地址是固定的 C. 数据可以随机地存放在任何存储单元中 D. 存储器的读/写操作是固定的
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第8题
7.按地址从存储器中取出信息,不破坏原有的内容,称为对存储器进行“()”操作。反之,把信息写入存储器,原来的内容被覆盖,称为对存储器进行“写”操作。 A.读 B.改 C.删除 D.编辑
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第9题
7.按地址从存储器中取出信息,不破坏原有的内容,称为对存储器进行“()”操作。反之,把信息写入存储器,原来的内容被覆盖,称为对存储器进行“写”操作。 A.读 B.改 C.删除 D.编辑
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第10题
7.按地址从存储器中取出信息,不破坏原有的内容,称为对存储器进行“()”操作。反之,把信息写入存储器,原来的内容被覆盖,称为对存储器进行“写”操作。 A.读 B.改 C.删除 D.编辑
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