更多“12、在烧结中、后期的晶粒生长过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。”相关的问题
第1题
在烧结中、后期的晶粒生长过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界移动的直接原因，晶界总是向着（）方向移动。
A.曲率中心
B.曲率中心相反
C.曲率中心垂直
D.任意
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第2题
晶界移动的速率是与晶界的曲率半径以及烧结温度密切相关，故烧结温度越高、晶粒的曲率半径越大，晶界向其曲率中心移动的速率越快。
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第3题
材料烧结时，晶粒生长是晶界移动的结果，为保证晶粒正常生长，应控制晶界移动速率Vb与气孔移动速率Vp，当（）时，晶粒正常长大。
A.Vb>>Vp
B.二者没有关系
C.Vb<<Vp
D.Vb=Vp
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第4题
晶粒长大的驱动力与界面能和晶界的曲率无关
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第5题
烧结末期的主要特征包括（）。
A.传质继续，晶界移动
B.晶粒长大形成闭气孔
C.晶界带动部分气孔至表面消失
D.气孔率下降
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第6题
2、对晶粒长大而言，晶界移动的驱动力通常来自 。
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第7题
2.在烧结中期，晶界开始移动，晶粒正常长大，原子从圆柱形孔隙向颗粒接触面扩散，使坯体致密（）。
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第8题
晶粒正常长大时，如果晶界受到第二相杂质的阻碍，晶界的移动会出现什么情况？ （友情提示：至少三种情况）
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第9题
关于晶粒、晶界和亚晶界说法错误的是（）
A.晶粒越细，晶界越多
B.晶粒越细，金属强度越高
C.晶界越多，强度和硬度越低
D.亚晶界越多，强度就越高
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第10题
细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性，提高材料的韧性，下列原因中正确的是（）？ （A）晶界是裂纹扩展的阻力。 （B）晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少，有利于降低应力集中。 （C）晶界总面积增加，使晶界上杂质浓度减少，避免产生沿晶脆性断裂。 （D）晶界的强度总是高于晶内的强度。
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第11题
细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性，提高材料的韧性，下列原因中正确的是（）？ （A）晶界是裂纹扩展的阻力。 （B）晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少，有利于降低应力集中。 （C）晶界总面积增加，使晶界上杂质浓度减少，避免产生沿晶脆性断裂。 （D）晶界的强度总是高于晶内的强度。
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