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题目

[单选题]

下列选项是关于SRAM和DRAM的比较,其中错误的是()

A.DRAM集成度高

B.DRAM芯片引脚多

C.DRAM速度慢

D.帧缓冲区

答案
SRAM速度较快,但集成度稍低;DRAM速度稍慢,但集成度高。
更多“下列选项是关于SRAM和DRAM的比较,其中错误的是()”相关的问题

第1题

下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是()。

A.DRAM中存储的数据无须“刷新”

B.DRAM的存取速度比SRAM快

C.RAM分静态RAM(SRAM)和动态(DRAM)两大类

D.SRAM的集成度比DRAM高

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第2题

下面关于随机存取存储器(RAM)的叙述中,正确的是()

A.静态RAM(SRAM)集成度低,但存取速度快且无须“刷新”

B.DRAM的集成度高且成本高,常做Cache用

C.DRAM的存取速度比SRAM快

D.DRAM中存储的数据断电后不会丢失

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第3题

SRAM与DRAM相比具有工作速度快,集成度高价格贵的特点。
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第4题

MOS型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,PC机中内存条一般由其中的_____芯片组成。
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第5题

MOS型半导体存储器芯片可以分为DRAM和SRAM两种,PC机中内存条一般由其中的_____芯片组成。
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第6题

需要定时刷新的半导体存储器芯片是()。

A.SRAM

B.DRAM

C.EPROM

D.Flash Memory

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第7题

存储容量为16KX4位的DRAM芯片,其地址引脚和数据引脚数各是()。

A.7,1

B.7,4

C.14,1

D.14,4

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第8题

某SRAM芯片,其容量为1024×4位,则地址和数据引脚的数目分别为()。

A.10,4

B.5,4

C.10,8

D.5,8

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第9题

下列属于导致DRAM 比SRAM慢的原因是()(多选)

A.DRAM需要刷新操作

B.DRAM 读写过程中其地址分行、列分时传送

C.读操作前先要进行预充操作

D.DRAM的容量比SRAM容量大

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