4、金属半导体肖特基结不是异质结。

在半导体内部，设本征费米能级为E i0 ，则热平衡时半导体内部的电子浓度为 在表面附近的空间电荷区内电子的附加电势能为-qψ(x)，本征费米能级为 E i (x)=E i0 -qψ(x) 空间电荷区中电子浓度为 在半导体表面 n s =n 0 e ψ s /(V T ) 其中，ψ s 是半导体的表面势．取半导体内为电势零点，则半导体表面势ψ s =-ψ 0 ，ψ 0 为空间电荷区内建电势差．于是在M-S界面，电子浓度为 n s =n 0 e -ψ 0 /(V T ) =N c e -V n /(V T ) ·e -ψ 0 /(V T ) =N c 即 n s =N c $当有外加电压时， n s =N c 由气体动力论，单位时间进入金属的电数为 ，于是电子从半导体越过势垒向金属发射所形成的电流密度为 与此同时电子从金属向半导体中发射形成的电流密度为 总电流密度为 将N c 和 代入上式，得到 J=R * T 2 (e V/V T -1) =J 0 (e V/V T -1) 其中，J 0 =R * T 2 ，R * =4πm * qK 2 /h 3 ． 当肖特基势垒被施加反向偏压-V R 时，将式中的V换成-V R 即可得到反向偏压下的电流-电压关系．于是，M-S结在正反两种偏压下的电流-电压关系可以统一用下式表示： J=J 0 (e V/V T -1) 或 I=I 0 (e V/nV T -1)