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第1题
场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电;场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
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第2题
场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电;场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
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第3题
MOS场效应管的导电沟道是平行于器件表面的,且是多数载流子的漂移电流,故温度稳定性较好,抗辐射能力较强
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第5题
场效应管漏极电流是由载流子的漂移动形成,这种载流子是()。
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第6题
场效应管的漏极电流是由 的漂移运动形成的。
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第7题
【判断题】晶体管靠两种载流子导电,场效应管靠一种载流子导电。
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第8题
【判断题】晶体管靠两种载流子导电,场效应管靠一种载流子导电。
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