某理想MIS（n型半导体衬底)结构中,若在金属栅上加足够高正电压,则以下______说法错误。

A.金属的费米能级比半导体低

B.半导体表面势为正

C.半导体表面能带向下弯曲

D.半导体表面处于积累状态

E.以上说法都不对

A.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

B.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

C.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

D.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

A.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

B.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

C.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

D.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

A.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

B.n型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

C.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的正向偏压

D.p型半导体，且在金属上施加了相对于半导体的反向偏压

A.施主能级被电子占据时呈电中性

B.受主能级被电子占据时呈电中性

C.P型半导体的费米能级略低于导带底部

D.N型半导体的费米能级略高于价带顶部

A.该结构衬底为P型硅，是增强型MOS结构

B.该结构衬底为N型硅，是增强型MOS结构

C.该结构衬底为P型硅，是耗尽型MOS结构

D.该结构衬底为N型硅，是耗尽型MOS结构

A.本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处

B.本征半导体不含有任何杂质和缺陷

C.本征半导体的费米能级与温度无关，只决定于材料本身

A.金属和n型半导体接触，Wm＞Ws

B.金属和n型半导体接触，Wm

C.金属和p型半导体接触，Wm＞Ws

D.金属和p型半导体接触，Wm