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[单选题]

下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是

A.4s电子的屏蔽常数s 4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小

B.当n和Z相同时,某电子的s 值愈大,该电子的能量就愈低

C.主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大

D.当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,s 值也愈大

答案
当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,其电子能量值愈高;
更多“下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是”相关的问题

第1题

下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是()

A.4s电子的屏蔽常数反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小;

B.当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,其电子能量值愈高;

C.主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大;

D.当n和Z相同时,某电子的屏蔽效应数值σ愈大,该电子的能量就愈低。

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第2题

下列关于屏蔽效应的说法中,正确的一个是

A.4s电子的屏蔽常数s 4s反映了4s电子屏蔽原子核作用的大小

B.当n和Z相同时,某电子的s 值愈大,该电子的能量就愈低

C.主量子数n相同,角量子数l不同;随l增大,电子的屏蔽作用增大

D.当屏蔽电子数目愈多或被屏蔽电子离核愈远时,s 值也愈大

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第3题

钻穿效应使屏蔽效应

A.减弱

B.增强

C.无影响

D.增强了外层电子的屏蔽作用

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第4题

屏蔽效应使被屏蔽电子的能量升高。
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第5题

同一电子层的电子钻穿效应大的电子相对地受到屏蔽作用小。
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第6题

为估计原子核外某一电子受到的屏蔽效应,需考虑对该电子排斥作用的是:

A.仅是位于该电子内层的电子;

B.位于该电子外层的电子;

C.仅是位于该电子同层的电子;

D.位于该电子的内层和同层的电子。

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第7题

估计一电子受屏蔽的总效应,一般要考虑下列哪些情况电子的排斥作用

A.内层电子对外层某电子

B.同层电子对某电子

C.外层电子对内层某电子

D.所有存在的电子对某电子

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第8题

多电子原子中轨道的能级交错可以用屏蔽效应和钻穿效应来解释。
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第9题

由于屏蔽效应和钻穿效应的结果,使多电子原子中的轨道能级发生了_______________现象
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第10题

在下列关于UTP CAT5的说法中,正确的是________。

A.非屏蔽的5根双绞线

B.非屏蔽的4对8根双绞线

C.屏蔽的1对2根双绞线

D.非屏蔽的1对2根双绞线

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