题目
A.0.5倍
B.1倍
C.2倍
D.3倍
第1题
A.一般硅管的死区电压为 0.5V
B.一般锗管的死区电压为 0.2V
C.二极管在使用时.如果没有特殊的限流措施,所加的反向电压必须小于击穿电压一定 的数值
D.二极管是一种非线性元件
E.二极管可以当一个开关来使用
第2题
A.使a的移相范围加大
B.使Ud不再出现负的部分
C.保护可控硅不被击穿
D.减小可控硅承受的最大反向电压
第3题
A.使α的移相范围加大。
B.使Ud不再出现负的部分。
C.保护可控硅不被击穿。
D.减小可控硅承受的最大反向电压。
第7题
A.使α的移相范围加大
B.使Ud不再出现负的部分
C.保护可控硅不被击穿
D.减小可控硅承受的最大反向电压
第8题
A、使A、的移相范围加大
B、使UD、不再出现负的部分
C、保护可控硅不被击穿
D、减小可控硅承受的最大反向电压、
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