存储器中地址号分别为1000#、1001#、1002#、1003的4个存储单元，分别保存的字节数据是1A、2B、3C、4D，如果数据字长为32位,存储器采用的是小端对齐模式，则这4个存储单元存储的数据值应被解析为（)

A.4D3C2B1A

B.1A2B2C3D

C.D4C3B2A1

D.A1B2C3D4

A.大端模式(Big-endian)是指数据的低位保存在内存的高地址中，而数据的高位，保存在内存的低地址中

B.小端模式(Little-endian)是指数据的低位保存在内存的低地址中，而数据的高位保存在内存的高地址中

C.0x12345678 按大端模式存放时，其所在存储单元最低字节单元存放的数据是0x12

D.0x12345678 按小端模式存放时，其所在存储单元最高字节单元存放的数据是0x12

A.6管SRAM中保存“1"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

B.6管SRAM中保存“0"的存储单元有两个工作管处于饱和导通状态

C.对任何一个SRAM存储单元的读写,一定需要通过对应的行选通和列选通信号使与该存储单元对应的4个门控管都处于选通状态

D.现有一个1KB的SRAM存储器,若只使用其低端地址的前16个单元,则只要使用该存储器的前4位地址线,其余地址线可以不做任何端接处理

A.一个字

B.一个字长

C.一个存储单元

D.一个字节

A.10396

B.10400

C.40000

D.400

A.32000

B.32768

C.32767

D.65536