兴奋性突触后电位的形成,是由于突触后膜对下列中的哪些离子通透性增加所致（）

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

A、Na+、K+、Cl-，尤其是K+

B、Na+、K+，尤其是Na+

C、K+、Cl-，尤其是Cl-

D、K+、Cl-，尤其是K+

E、Ca2+、K+、Cl-，尤其是Ca2+

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致？

A.钠离子、钾离子

B.氯离子、钠离子

C.钠离子、镁离子

D.钙离子

A.Ca2+

B.Cl-

C.K+

D.Na+和K+，尤其是Na+

A.氯离子、钠离子

B.钠离子、钾离子

C.钠离子、钙离子

D.钙离子

兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的

A．K+、Na+，尤其是K+

B．K+、Na+，尤其是Na+

C．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Cl-

D．K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-

E．K+、Cl-，尤其是Cl-

兴奋性突触后电位是由于突触后膜提高了对下列哪些离子的通透性而引起的（）。

A.Cl一、NA+，尤其是Cl—

B. NA+、K+，尤其是NA+

C. K+、NA+，尤其是K+

D. CA2+、NA+，尤其是CA2+

E. CA2+ NA+，尤其是NA+

A.Cl-、Na+，尤其是Cl-

B.Na+ 、K+，尤其是Na+

C.K+ 、 Na+ ，尤其是K+

D.Na+ ，尤其是Ca2+