题目
A.集成度高,存取周期快,位平均功耗小
B.集成度高,存取周期快,位平均功耗大
C.集成度低,存取周期快,位平均功耗大
第2题
A.内存速度用进行一次读或写操作所花费的“访问时间”来描述
B.DRAM的主要参数有两个:存储容量和工作频率,工作频率反映了存储器读写单元的速度
C.动态存储器(DRAM)集成度低,生产成本高,一般用在比内存小得多的高速缓冲存储器等场合
D.断电后RAM中的内容全部丢失,目前使用的RAM多数为MOS型半导体集成电路
第11题
A.功耗低(每位约10毫微瓦)
B.可随机读取或写入数据
C.断电后用外加电池来保持存储器的内容不丢失
D.工作速度比动态随机存储器(Dram)高
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