更多“考虑PN结雪崩击穿机制，温度越高，半导体晶格振动越强，载流子与晶格碰撞几率增大，从而更易发生雪崩击穿。()”相关的问题
第1题
通常PN结雪崩击穿电压与温度之间的关系是（)。
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第2题
单边突变结中，低掺杂侧的掺杂浓度越低，雪崩击穿电压越低。（)
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第3题
一般说来，当势垒区较宽时，即杂质浓度或杂质浓度梯度较小时，容易发生齐纳击穿。反之，则容易发生雪崩击穿。（)
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第4题
半导体中同时存在电子和空穴的根本原因是晶格的热振动使电子不断发生从导带到价带的热跃迁。（)
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第5题
AO13N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同,N型半导体带负电,而P型半导体带正电,所以PN结形成内电场。（)
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第6题
用万用表KX100档测量半导体三级管各极间的正反向电阻时，结果都旦现很小的阻值 ，由此可判断（)
A.A. 发射结被击穿
B.B. 集电结被击穿
C.C. 两个PN结都被击穿
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第7题
稳压管也是一种二极管，与一般二极管不同之处是它正常工作在PN结的（)区。
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第8题
离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。（)
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第9题
如果用万用表测得三极管b、e极间和b、c极间PN结的正、反向电阻都很小或为零，这说明管子极间短路或击穿。（)
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第10题
金属中常见的晶格为体心立方晶格和面心立方晶格。（)
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