设输出特性如图题4.3.1所示的BJT连接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接VBB=3.2V与电阻Rb=20

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接成图题4.3.2所示的电路，其基极端上接V_BB=3.2V与电阻R_b=20kΩ串联，而V_CC=6V，R_c=200Ω，求电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

设输出特性如图题4.3.1所示的BJT接入图题4.3.2所示的电路，图中V_CC=15V，R_c=1.5kΩ，i_B=20μA，求该器件的Q点。

若将图题4.3.1所示输出特性的BJT接成图题4.3.2所示的电路，并设V_CC=12V，R_c=1kΩ，在基极电路中用V_BB=2.2V和R_b=50kΩ串联以代替电流源i_B。求该电路中的I_BQ、I_CQ和V_CEQ的值。设V_BEQ=0.7V。

设PNP型硅BJT的电路如图题4.3.6所示。问v_B在什么变化范围内，使T工作在放大区？令β=100。

BJT的输出特性如图题4.3.1所示。(1)求该器件的β值；(2)当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？

放大电路如图题4.3.5(a)所示，已知V_CC=12V，BJT的β=20。若要求A_v≥100，I_CQ=1mA，试确定R_b、R_c的值，并计算V_CEQ。设R_L=∞。

BJT的输出特性如图题5.3.1所示。求该器件的β值;当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？