在图P3.26（a)所示电路中已知三极管导通时饱和压降,饱和导通内阻为三极管的电流放大系数β=100.

IH=2.4V、V_IL=0.3V。若三极管的电流放大系数β=40，饱和压降V_CE(sat)=0.1V，饱和导通内阻R_CE(sat)=20Ω，试通过计算说明输入为高电平时三极管能否饱和导通，输入为低电平时三极管能否截止。

和导通,OC门输出低电平时三极管T截止.

已知OC门7403输出高电平时输出端三极管的蒲电流为,输出为低电平时允许流入的最大负载电流为三极管T的电流放大系数β=50,集电极负载电阻饱和导通压降0.1V.饱和导通内阻.给定试求R取值的允许范围.

作在什么状态.假定三级管导通以后电路台数如图中所注.下极管的饱和导通压降0.1V.饱和导通内阻

在图P3.9的三极管开关电路中，给定V_CC＝5V，R_C＝1kΩ，R_B＝5.1kΩ，输入信号的高、低电平分别为V_IH＝2.4V、V_IL＝0.3V。若三极管的电流放大系数β＝40，饱和压降V_CE(sat)＝0.1V，饱和导通内阻R_CE(sat)＝ 20Ω，若R_C改为510Ω，R_B改为4.7kΩ，试计算β应当取多大才能保证v_I为高电平时三极管工作在饱和导通状态。

在图3.11所示的三极管开关电路中，若输入信号v₁的高、低电平分别为V_IH=5V，V_IL=0V，试计算在图中标注的参数下能否保证v_I=V_IH时，三极管饱和导通，v_I=V_IL时三极管可靠截止？三极管的饱和导通压降V_CE(sat)=0.1V，饱和导通内阻R_CE(sat)=20Ω。如果参数配合不当，则在电源电压和R_C不变的情况下应如何修改电路参数？

电路如图2.4.16(a)所示。已知当三极管导通时V_be=0.7V，饱和时V_ces=0.3V，β=100；OC门G₁输出管截止时的漏电流约为50μA，饱和导通时最大允许灌电流I_LM=10mA，输出低电平V_OL=0.3V；TTL与非门输入特性如图(b)所示。要求三极管集电极输出端P为高电平时V_PH=3.5V，低电平时V_PL=0.3V。试问：

三极管的电流放大系数β=40,饱和导通压降饱和导通内阻.CMOS或非门的电源电压空载输出的高、低电平分别为门电路的输出电阻小于200Ω,高电平输出电流的最大值和低电平输出电流的最大值均为4mA.TTL或非门的高电平输入电流低电平输入电流=-1.6mA.

A.截止

B.放大

C.饱和

D.导通

已知TTL与非门的I_OL=15mA(灌电流),I_OH=400μA(拉电流),U_OH=3.6V,U_OL=0.3V;发光二极管正向导通电压U_D=2V,正向电流I_D=5~10mA:三极管导通时U_BE=0.7V,饱和压降U_CES=0.3V,β=50.求图2.16所示两个发光二极管驱动电路中R及R_B的取值范围(不必规范化).

功率放大电路如题5图所示，三极管的饱和压降U_CES=1V，该电路的最大效率η_max为( )。

A．78.5% B．70.68% C．62.8% D．50%