在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为()。

光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺()。

A.刻制图形

B.绘制图形

C.制作图形

A.NPN型三极管的半导体晶片上的三个杂质区，分别是N区，P区，N区，相对应地，分别称之为集电区，基区，发射区。

B.按掺杂区域的类型，三极管可分为NPN型和PNP型两大类。

C.三极管有三个电极，分别为基极B、集电极C、反射极E。

D.反射结。

A.NPN型三极管的半导体晶片上的三个杂质区，分别是N区，P区，N区，相对应地，分别称之为集电区，基区，发射区。

B.按掺杂区域的类型，三极管可分为NPN型和PNP型两大类。

C.三极管有三个电极，分别为基极B、集电极C、反射极E。

D.反射结。

A.晶圆顶层的保护层

B.多层金属的介质层

C.多晶硅与金属之间的绝缘层

D.掺杂阻挡层

E.晶圆片上器件之间的隔离

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

A.杂质浓度

B.掺杂工艺

C.温度

D.晶体缺陷