在室温下，为了把电阻率为0.2Ω·cm的p型硅片变成：（1)电阻率为0.1Ω·cm的p型硅片；（2)电阻率为0.2Ω·cm的n型硅片，

已知一个硅突变结，其两边的电阻率分别为ρ_n=10Ω·cm的n-Si和电阻率为ρ_p=0.01Ω·cm的p-Si，已知其μ_n=100cm²/(V·s)，μ_p=300cm²/(V·s)，试求其在室温下势垒高度和势垒宽度。

在一块掺硼的非简并p型硅样品中含有一定浓度的铟，在室温(300K)下测得电阻率为ρ=2.84Ω·cm。已知所掺的硼浓度为N_a1=10¹⁶/cm³，硼的电离能为E_a1-E_v=0.045eV，铟的电离能为E_a2-E_v=0.16eV，试求样品中铟的浓度N_a2[室温下为N_v=1.04×10¹⁹/cm³，μ_p=200cm²/(V·s)]。

由电阻率为1Ω·cm的P型锗和0.1Q·cm的n型锗半导体组成一个pn结，计算在室温(300K)时，内建电位差V_D和阻挡层宽度。已知在上述电阻率下，p区的空穴迁移率μ_p=1650cm²/(V·s)，n区电子的迁移率μ_n=3000cm²/(V·s)，锗的本征载流子浓度n_i=2.5×10¹³cm^-3。

若把银看成具有球形费米面的单价金属,计算以下各量: (1)费米能和费米温度; (2)费米球半径; (3)费米速度; (4)费米球面的横截面积: (5)在室温及低温时电子的平均自由程。 银的密度为10.5 g . cm-3,相对原子质量为107 .87,电阻率为161x10^-6Ω.cm(在295K), 0.038x 10^-6Ω.cm (在20K)

若把银看成具有球形费米面的单价金属,计算以下各量: （1)费米能和费米温度; （2)费米球半径; （3)费米速度; （4)费米球面的横截面积: （5)在室温及低温时电子的平均自由程。 银的密度为10.5 g . cm-3,相对原子质量为107 .87,电阻率为161x10^-6Ω.cm（在295K), 0.038x 10^-6Ω.cm （在20K)

室温下，本征锗的电阻率为47Ω·cm，试求本征载流子浓度。若掺入锑杂质，使每10⁵个锗原子中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子的浓度为4.4×10²²/cm³，试求该掺杂锗材料的电阻率。设μ_n=3600cm²/(V·s)，μ_p=1700cm²/(V·s)且认为不随掺杂而变化。n_i=2.5×10¹³cm^-3。

A.δ＜2%

B.δ＜0.5%

C.δ＜5%

D.δ＜0.2%

A.δ＜5%

B.δ＜0.5%

C.δ＜2%

D.δ＜0.2%

A.δ＜2%

B.δ＜0.5%

C.δ＜5%

D.δ＜0.2%