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[主观题]

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明此混频电路的工作过程。分析在此电路的输出电压中是否存在本振频率和信号频率的基波分量,并求输出中频电流的表示式。设电路工作在场效应管的平方律区域,其转移特性为

图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0

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更多“图4.5.20所示为场效应管平衡混频器电路。 图4.5.20中,vs=Vsmsinωst;v0=V0msinω0t0。试说明”相关的问题

第1题

场效应管分压偏置电路如图2-26(a)所示,设耗尽型MOS场效应管的转移特性曲线为图2-26(b),请计算电
场效应管分压偏置电路如图2-26(a)所示,设耗尽型MOS场效应管的转移特性曲线为图2-26(b),请计算电

路的静态工作点并判断场效应管工作状态,定性说明增加或减小R,对静态工作点的影响。

场效应管分压偏置电路如图2-26(a)所示,设耗尽型MOS场效应管的转移特性曲线为图2-26(b),

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第2题

试求图NP4-15所示的单平衡混频器的输出电压vo(t)表示式。设二极管的伏安特性均为从原点出
试求图NP4-15所示的单平衡混频器的输出电压vo(t)表示式。设二极管的伏安特性均为从原点出

发,斜率为gD的直线,且二极管工作在受vL控制的开关状态。

试求图NP4-15所示的单平衡混频器的输出电压vo(t)表示式。设二极管的伏安特性均为从原点出试求图

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第3题

由MOS场效应管构成的模拟开关电路如图2-25(a)和(b)所示,假定控制电压在0V和5V电平之间进行转换,
由MOS场效应管构成的模拟开关电路如图2-25(a)和(b)所示,假定控制电压在0V和5V电平之间进行转换,

设场效应管的开启电压是2V,图(a)中衬底极接在电路最低电位上,为保证模拟开关正常工作,请问对输入信号有什么限制?

由MOS场效应管构成的模拟开关电路如图2-25(a)和(b)所示,假定控制电压在0V和5V电平之间进

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第4题

图4.5.20所示电路中,U=220V,R1=20Ω,XL1=10Ω,,Xc1=30Ω,XR=20Ω,XC2=20Ω。分别求S断开与闭合时的U1
、U2。

图4.5.20所示电路中,U=220V,R1=20Ω,XL1=10Ω,,Xc1=30Ω,XR=20Ω

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第5题

图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不
计.(1)试指出放大电路由哪两种组态组合而成.(2)写出R1、R0、Av的表达式.

图LT4-15所示电路,已知场效应管的gm、三极管的β、rbc及各电阻值,rds与rce忽略不计.(

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第6题

图4.5.17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为

图4.5.17所示为一个场效应管混频器。场效应管的转移特性为

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第7题

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。

电路如图3-21所示,已知场效应管的低频跨导为gm,试写出Av、Ri和Ro的表达式。电路如图3-21

图3-21

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第8题

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N,在满足线性时变条件下,试画出下列两种情况下gm(t)的波形图,并导出混频跨导gmc表达式。在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N

在图NP4-19所示场效应管混频器原理电路中,已知场效应管的静态转移特性为,在满足线性时变条件在图N

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第9题

场效应管放大电路如图3-2所示,已知电源电压等于5V,场效应管开启电压为2V,(1)说明该放大器偏置电
场效应管放大电路如图3-2所示,已知电源电压等于5V,场效应管开启电压为2V,(1)说明该放大器偏置电

场效应管放大电路如图3-2所示,已知电源电压等于5V,场效应管开启电压为2V,

场效应管放大电路如图3-2所示,已知电源电压等于5V,场效应管开启电压为2V,(1)说明该放大器偏置

(1)说明该放大器偏置电路如何稳定静态工作点?

(2)这种偏置电路是否适用于耗尽型场效应管放大电路?为什么?

(3)设ID=1 mA,求场效应管放大电路如图3-2所示,已知电源电压等于5V,场效应管开启电压为2V,(1)说明该放大器偏置的值。

场效应管放大电路如图3-2所示,已知电源电压等于5V,场效应管开启电压为2V,(1)说明该放大器偏置

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第10题

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐
电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V卐

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ12=0.01V-1。场效

应管静态工作时的偏置电流IREF=0.2mA。试求该CMOS共源放大电路的电压增益Ae

电路如图题4.6.2(主教材图4.6.8)所示,设场效应管的参数为gm1=0.7mS,λ1=λ2=0

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