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图2－29（a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm．为了避免全反射，发光管上部研磨成半球

图2-29(a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm．为了避免全反射，发光管上部研磨成半球形，以使内部发的光能够以最大的透射率向外输送．如果要使发光区边缘两点A和B发出的光不致全反射，半球的半径至少应取多少？(已知砷化镓的折射率为3.4(对发射的0.9μm波长)．)

图2－29（a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm．为了避免全反射，发

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第1题

图（a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm。为了避免全反射，发光管上部

图(a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm。为了避免全反射，发光管上部研磨成半球形，以使内部发的光能够以最大的透射率向外输送。如果要使发光区边缘两点A和B发出的光不致全反射，半球的半径至少应取多少？(已知砷化镓的折射率为3.4(对发射的0.9μm波长)。)

图（a)所示为一支半导体砷化镓发光管，管芯AB为发光区，其直径d≈3mm。为了避免全反射，发光管上部

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第2题

第三主族元素包括B、Al、Ga、In、Tl。（）砷化镓属于第三代半导体，它能直接将电能转化为光能，其晶胞结构如右图所示。 ①Ga的基态原子的核外电子排布式为。 ②在砷化镓的晶胞结构中，镓原子的配位数为____ 。 ③在砷化镓的晶胞结构中，与同一砷原子相连的镓原子构成的空间构型为

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第3题

半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体

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第4题

半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体。

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第5题

半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体。

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