更多“下列器件中,不存在二次击穿现象的功率半导体器件是?()”相关的问题
第1题
功率MOSFET是一种()器件,具有驱动功率小,工作速度快,无二次击穿和安全区宽等特点。
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第2题
微波武器的电效应是指高功率微波在射向目标时会在目标结构的金属表面或金属导线上感应出电流或电压,这种感应电压或电流会对目标上的电子元器件产生多种效应,如造成电路中器件的状态反转、器件性能下降、半导体结击穿等。
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第3题
功率场效应晶体管的特点是:_________的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自动关断,同时
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第4题
功率场效应晶体管的特点是:栅极的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区范围宽。()
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第5题
功率场效应晶体管的特点是:栅极的静态内阻高,驱动功率小,撤除栅极信号后能自动关断,同时不存在二次击穿,安全工作区范围宽。()
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第6题
功率场效应晶体管特点是栅极的静态内阻高,驱动功耗小,撤除栅极信号能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。()
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第7题
功率场效应晶体管特点是()的静态内阻高,驱动功耗小,撤除栅极信号能自行关断,同时不存在二次击穿,安全工作区宽。
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第8题
负载为大电感负载,单相桥式半控整流桥如不加续流二极管,在电路中出现触发脉冲丢失或者触发脉
冲的延迟角α增大到180°时电路会出现()现象。
A雪崩击穿
B、二次击穿
C、失控
D、以上都不是
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第9题
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()。
A.一次击穿
B.二次击穿
C.临界饱和
D.反向截止
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第10题
16. 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为()
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