兴奋性突触后电位（EPSP）是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的（）

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的

A．K+、Na+，尤其是K+

B．K+、Na+，尤其是Na+

C．Ca2+、K+、Cl-，尤其是Cl-

D．K+、Na+、Cl-，尤其是Cl-

E．K+、Cl-，尤其是Cl-

A.突触前末梢递质释放增多

B.需由中间神经元中介

C.突触后膜K+电导降低

D.突触后膜Na+电导增加

A.突触前膜均去极化

B.突触前膜均超极化

C.突触后膜均去极化

D.突触后膜均超极化

A、突触前末梢递质释放增多

B、需由中间神经元中介

C、突触后膜K+电导降低

D、突触后膜Na+电导增加

E、突触后神经元受刺激而兴奋

A．须由中间神经元介导

B．突触前未梢递质释放增多

C．突触后膜K⁺通透性降低

D．突触后膜Na⁺通透性增加

E．突触后膜神经元受刺激而兴奋

A.谷氨酸神经递质释放

B.突数后膜Ca2+内流

C.乙酰胆碱结合烟碱型受体

D.甘氨酸神经递质释放

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致？

A.氯离子

B.钙离子

C.钾离子

D.钠离子

E.氢离子

A.Na+、K+、Cl-，尤其是Na+

B.Ca2+和K+

C.Na+、K+、Cl-，尤其是K+

D.K+、Cl-，尤其是Cl-