n型半导体Si中有P原子杂质，在计算施主能级时，作为近似，可以看作一个电子绕P＋离子运动，形成类氢原子，沉浸在无限大的Si电介质中，已知Si的相对介电常数εr=11.5，求半导体的施主能级En和电离能。

A、纯净无杂质、结构理想无缺陷的半导体是本征半导体

B、实际的半导体材料总是存在杂质和缺陷的，只要杂质和缺陷在一定限度内，就可看作是本征半导体

C、本征半导体掺入杂质可形成杂质半导体

D、本征半导体掺入施主杂质可形成n型半导体，掺入受主杂质可形成p型半导体

E、n型半导体依靠导带电子导电

F、p型半导体依靠价带空穴导电

G、本征半导体中载流子由本征激发产生

H、本征半导体中导带电子浓度等于价带空穴浓度

I、施主杂质电离可以为半导体提供导电电子

J、受主杂质电离可以为半导体提供导电空穴

K、杂质半导体中载流子主要靠杂质电离产生

L、杂质半导体中也存在本征激发的过程

A.杂质离子

B.离子空位

C.电子

D.空穴

A.P

B.As

C.Sb

D.B

E.Al

F.GaG、In

设一n型半导体导带电子的有效质量，求在300K时，使费米能级的施主浓度。设此时施主的电离很弱。

A.施主杂质和受主杂质之间高度补偿，半导体中存在大量杂质，特性很差

B.施主杂质和受主杂质完全补偿掉，结果是没有杂质，类似本征半导体

C.通过杂质的补偿作用，半导体变为N型半导体

D.通过杂质的补偿作用，半导体变为P型半导体

这样就形成了一个空穴浓度差。由于这个浓度差的存在,在 P 区的空穴就要向 N 区扩散。同理, N 区的电子也要向 P 区扩散。我们把因为 浓度差而造成多数载流子 的定向运动称作 。在运动的过程中,电子和空穴相遇后 复合 , P 型半导体在交界附近只剩下不可动的负电荷, N 型半导体在交界附近只剩下不可动的正电荷,于是便在交界面的两侧形成一个 ,这就是 PN 结

A.氢原子失去1S电子成为H+,除气态的质子流外H+常与其它原子或分子结合

B.氢原子得到一个电子形成H-离子,如与碱金属,碱土金属所形成的离子型化合物

C.氢原子和其它电负性不大的非金属原子通过共用电子对结合,形成共价型氢化物

D.与电负性极强的元素(如F O N等)相结合的氢原子易与另外电负性极强的原子形成氢键

A、 P型

B、 N型