题目
A.K+内流
B.K+外流
C.Na+内流
D.Cl-内流
第1题
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。
A.Ca2+
B.Cl-
C.K+
D.Na+和K+,尤其是Na+
E.Cl-和K+,尤其是Cl-
第3题
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。
第6题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
第10题
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了何种离子的通透性()
A.K+、Na+、Cl-,尤其是K+
B.K+、Na+、Cl-,尤其是C1-
C.K+、Na+、C1-,尤其是Na+
D.K+、C1-,尤其是C1-
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