题目
兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时,______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化;而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放,______离子内流而产生的______极化型电位变化。
第1题
兴奋性突触后电位(EPSP)是由于突触后膜对哪些离子的通透性增加而发生的
A.K+、Na+,尤其是K+
B.K+、Na+,尤其是Na+
C.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-
D.K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-
E.K+、Cl-,尤其是Cl-
第2题
兴奋性突触后电位(excitatory postsynaptic potential,EPSP)
第5题
A.K+、Na+,尤其是K+
B.K+、Na+,尤其是Na+
C.K+、Na+、Cl-,尤其是Cl-
D.Ca2+、K+、Cl-,尤其是Cl-
E.K+、Cl-,尤其是Cl-
第7题
A.须由中间神经元介导
B.突触前未梢递质释放增多
C.突触后膜K+通透性降低
D.突触后膜Na+通透性增加
E.突触后膜神经元受刺激而兴奋
第8题
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
第9题
A.谷氨酸神经递质释放
B.突数后膜Ca2+内流
C.乙酰胆碱结合烟碱型受体
D.甘氨酸神经递质释放
第11题
兴奋性突触后电位的产生,是由于突触后膜提高了()的通透性。
A.Ca2+
B.Cl-
C.K+
D.Na+和K+,尤其是Na+
E.Cl-和K+,尤其是Cl-
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