题目
第5题
A.管外法主要包括管外气相沉积法(OVD),以及气相轴向沉积法(VAD);
B.OVD工艺中,原料在氢氧焰中水解生成Si微粉,然后经喷灯喷出沉积在高速旋转的“母棒”外表面;
C.管外气相沉积法(OVD)的预制棒制备工艺由美国Corning公司开发;
D.OVD工艺中母棒的径向尺寸不受限制,因而棒的尺寸可以做得比较大。
第6题
A.管外法主要包括管外气相沉积法(OVD),以及气相轴向沉积法(VAD);
B.OVD工艺中,原料在氢氧焰中水解生成Si微粉,然后经喷灯喷出沉积在高速旋转的“母棒”外表面;
C.管外气相沉积法(OVD)的预制棒制备工艺由美国Corning公司开发;
D.OVD工艺中母棒的径向尺寸不受限制,因而棒的尺寸可以做得比较大。
第7题
A.管外法主要包括管外气相沉积法(OVD),以及气相轴向沉积法(VAD);
B.OVD工艺中,原料在氢氧焰中水解生成Si微粉,然后经喷灯喷出沉积在高速旋转的“母棒”外表面;
C.管外气相沉积法(OVD)的预制棒制备工艺由美国Corning公司开发;
D.OVD工艺中母棒的径向尺寸不受限制,因而棒的尺寸可以做得比较大。
第8题
A.管外法主要包括管外气相沉积法(OVD),以及气相轴向沉积法(VAD);
B.OVD工艺中,原料在氢氧焰中水解生成Si微粉,然后经喷灯喷出沉积在高速旋转的“母棒”外表面;
C.管外气相沉积法(OVD)的预制棒制备工艺由美国Corning公司开发;
D.OVD工艺中母棒的径向尺寸不受限制,因而棒的尺寸可以做得比较大。
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