半径为R1的无限长载流直圆柱体，通以均匀电流，电流密度为j。在导体内有一个半径为R2的圆柱形空腔，

分析：此题属于非对称分布磁场的问题，因而不能直接应用安培环路定理一次性求解，但可用补偿法求解。即将无限长载流圆柱形导体管看作是由半径为R1的实心载流圆柱体和一根与圆柱轴平行并相距a的半径为R2的反向载流圆柱体叠加而成(它们的场都可以分别直接应用安培环路定理求解)。则空间任一点的场就可视作该两个载流导体产生场的矢量叠加。注意补偿电流的计算时，应该是先求出原来导体内电流密度，按照此电流密度进行补偿。

一无限长均匀载有电流I的圆筒，内外半径分别为R1和R2，试求

(1)该载流圆筒激发的磁场的磁感应强度分布;

(2)圆简壁内任一点P处的磁场能量密度;

(3)若电流从半径为R3的同轴圆柱壳流回，求单位长度的自感系数。

有一圆柱形无限长载流导体，其相对磁导率为μr，半径为R，今有电流I沿轴线方向均匀分布，试求： (1)导体内任一点的B； (2)导体外任一点的B； (3)通过长为L的圆柱体的纵截面的一半的磁通量。

两个无限长的同轴均匀载流圆柱面，半径分别为R1和R2，(R1 ＜r2)。电流＞从里面的圆柱面流出去，再从外面的圆柱面流回来。计算磁场磁感应强度的分布。

A、

B、

C、

D、

A.Br、Be均与r成正比。

B.Br、Be均与r成反比。

C.Br与r成反比，Be与r成正比。

D.Br与r成正比，Be与r成反比

A.Bi、Be均与r成正比

B.Bi、Be均与r成反比

C.Bi与r成反比，Be与r成正比

D.Bi与r成正比，Be与r成反比

A.Bi、Be均与r成正比

B.Bi、Be均与r成反比

C.Bi与r成反比，Be与r成正比

D.Bi与r成正比，Be与r成反比

A.Bi、Be均与r成正比

B.Bi、Be均与r成反比

C.Bi与r成反比，Be与r成正比

D.Bi与r成正比，Be与r成反比