N沟道增强型MOSFET工作在恒流区的条件是？

A.VGS> VGS(th)，VDS> VGS - VGS(th)

B.VGS> VGS(th)，VDS < VGS - VGS(th)

C.VGS < VGS(th)，VDS > VGS - VGS(th)

D.VGS <VGS(th)，VDS < VGS - VGS(th)

A.UGS> UGS(th), UDS> UGS - UGS(th)

B.UGS> UGS(th), UDS< UGS - UGS(th)

C.UGS<UGS(th), UDS> UGS - UGS(th)

D.UGS< UGS(th), UDS<UGS - UGS(th)

A.N沟道增强型MOSFET

B.N沟道耗尽型MOSFET

C.P沟道增强型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

A.N沟道增强型MOSFET

B.N沟道耗尽型MOSFET

C.P沟道增强型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

A.N沟道增强型MOSFET

B.N沟道耗尽型MOSFET

C.P沟道增强型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

A.N沟道增强型MOSFET

B.P沟道增强型MOSFET

C.N沟道耗尽型MOSFET

D.P沟道耗尽型MOSFET

A.当栅极电压为零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间存在导电沟道。

B.当栅极电压小于零时，N沟道增强型的电力MOSFET漏源极之间存在着导电沟道。

C.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极间不能导通。

D.当栅极电压大于零时，N沟道增强型电力MOSFET漏源极之间存在导电沟道。

A.恒流区（饱和区、放大工作区）

B.可变电阻区

C.预夹断临界点

D.截止区