磁阻效应实验中，霍尔传感器是

磁阻效应实验中，被测量的磁阻元件是

同样条件下，半导体材料（）反向电流密度变化最大。

对于（）半导体材料而言，直接复合占优势。

室温时，下列半导体禁带宽度的大小顺序排列正确的是？

磁阻效应实验中，锑化铟传感器的电阻变化量在磁场大于0.15 T的时候与磁感应强度的变化呈什么关系。

选择题：（每题10 分，总分100分，单选多选少选不给分） 1. 金属或半导体薄片置于磁场中，当有电流流过时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势，这种物理现象称为 。 A.压电效应 B.涡流效应 C.霍尔效应 D. 应变效应 2. 只有 适于作霍尔元件，其电阻率和载流子的迁移率都比较大。 A.金属材料 B. 半导体材料 C. 绝缘材料 D. 高分子才熬 3. 目前常用的半导体材料有硅、锗、锑化铟和砷化铟等，这些材料不但有较大霍尔系数RH ，而且有较好的线性度，其中 的RH较小，温度系数也较小，输出特性线性度好。 A. N型锗 B. N型硅 C. 锑化铟 D. 砷化铟 4. 使霍尔传感器处于非均匀磁场中，其输出正比于磁感应强度，因此，对凡是能转换为 变化的量都能进行测量，如位移、角度、转速和加速度等。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感应强度和控制电流之积 D.其他 5. 霍尔传感器输出值正比于 ，它可以用于乘法、功率等方面的计算与测量。 A. 磁场强度 B.控制电流 C. 磁感

半导体砷化镓属于化合物半导体，与硅和锗不同的是，砷化镓为直接带隙半导体。

当Ⅲ-Ⅴ族砷化镓中掺入硅，如果硅替位砷，则硅为（）。

下列半导体材料中，属于直接带隙半导体的是（）。

半导体材料硅、锗和砷化镓在室温下其杂质全部电离。