产生抑制性突触后电位（IPSP)的主要机制是

A.突触后神经元处于兴奋状态

B.经一中间神经元的中介而产生

C.可由突触后膜K+电导增加而产生

D.可由突触后膜Ca2+电导增加而产生

E.幅度不收突触前膜递质释放量的影响

A.突触前膜阈电位水平抬高

B.突触前末梢递质释放减少

C.突触前末梢释放抑制性递质

D.抑制性中间神经元兴奋

E.突触后膜产生IPSP

A.都是局部电位

B.均是引起突触后膜离子电导发生了改变

C.EPSP释放了兴奋性的递质，引起膜的去极化

D.IPSP引发了钾离子外流，突触后膜超极化

E.突触后膜上的受体一般为配体门控的离子通道

A.突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大

B.突触后膜去极化

C.突触后膜出现超极化

D.突触后膜出现复极化

A.Ca2+

B.Na+

C.K+

D.Cl-和K+

A.Na+

B.K+

C.Ca2+

D.Cl-

A.Na+

B.Ca2+

C.K+和Cl-，尤其是Cl-

D.K+和Cl-，尤其是K+

A.使脑内儿茶酚胺类耗竭

B.抑制突触前膜NA的释放

C.抑制突触前膜NA和5-HT再摄取

D.使脑内5-HT缺乏

A.K+、Na+，尤其是K+

B.K+、Na+，尤其是Na+

C.Ca2+、K+、Cl-，尤其是K+

D.Cl-，尤其是Cl-