(b)写出存储电路的次态方程: Q 1 n+1 =D=XY+(X+Y)Q (6.3.21) (c)列出状态转换真值表画出状态图:状态转换真值表如表6.3.2所示由表6.3.2画出状态转换图如图6.3.17所示。 (d)功能分析:由表6.3.2可知该表与一位全加器真值表相同若将Q作为来自低位的进位Q n+1 作为向高位的进位则该电路为串行二进制加法器。 (b)写出存储电路的次态方程:Q1n+1=D=XY+(X+Y)Q(6.3.21)(c)列出状态转换真值表,画出状态图:状态转换真值表如表6.3.2所示,由表6.3.2画出状态转换图,如图6.3.17所示。(d)功能分析:由表6.3.2可知,该表与一位全加器真值表相同,若将Q作为来自低位的进位,Qn+1作为向高位的进位,则该电路为串行二进制加法器。