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第1题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种(些)离子通透性变化所致
A.Na+或K+通透性升高
B.Ca2+或K+通透性升高
C.Ca2+或Cl-通透性升高
D.K+或Cl-通透性升高
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第2题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生
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第3题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生?
A.Ca2+;
B.Na+;
C.K+;
D.Cl-和K+。
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第4题
抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生
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第5题
关于抑制性突触后电位的产生,正确的叙述是
A.突触后膜对钙离子和钾离子的通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
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第6题
抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对下列哪种离子的通透性增加所致:
A.Na+、C1-、K+,尤其是K+
B.K+、C1-,尤其是C1-
C.Na+、K+,尤其是Na+
D.Ca2+、K+、C1-,尤其是Ca2+
E.Ca2+、Na+,尤其是Ca2+
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第7题
关于抑制性突触后电位的叙述,正确的是
A.突触后膜去极化
B.突触后膜出现超极化
C.突触后膜对Ca2+通透性增大
D.突触前轴突末梢超极化
E.由突触前膜递质释放量减少所致
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第8题
抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加
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第9题
【单选题】兴奋性突触后电位是由于突触后膜
A.K+通透性增加
B.Na+通透性增加
C.Cl-通透性增加
D.Ca2+通透性增加
E.H+通透性增加
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第10题
【单选题】兴奋性突触后电位是由于突触后膜
A.K+通透性增加
B.Na+通透性增加
C.Cl-通透性增加
D.Ca2+通透性增加
E.H+通透性增加
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第11题
兴奋性突触后电流是由于突触后膜对下列哪些离子通透性增加所致?()
A.Na+、K+,尤其是K+
B.Na+、K+,尤其是Na+
C.K+、CI-,尤其是CI-
D.CI-,尤其是K+
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