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[主观题]

阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。

答案

机械阱、冷凝阱、热电阱、离子阱、吸附阱等。其作用是减少油蒸气、水蒸气、汞蒸气及其它腐蚀性气体对系统的影响，也用于物质的分离和提高系统的真空度。

更多“阱是在衬底上形成的、掺杂类型与衬底相同的区域。”相关的问题

第1题

在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底（功函数约为 4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A 在磷掺杂浓度为 2 × 10 16 cm -3 的硅衬底（功函数约为 4.25eV ）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A 在磷掺杂浓度为2e16 cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（）

A.In (Wm=3.8eV)

B.Cr (Wm=4.6eV)

C.Au (Wm=4.8eV)

D.Al (Wm=4.3eV)

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第2题

A.In (Wm=3.8eV)

B.Cr (Wm=4.6eV)

C.Au (Wm=4.8eV)

D.Al (Wm=4.3eV)

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第3题

一个以P-Si为衬底的理想MOS结构中

A.其栅氧化层厚度越小，阈值电压越大

B.其衬底掺杂浓度越高，阈值电压越大

C.其阈值电压必定是负的

D.其衬底费米势肯定是负的

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第4题

VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

A.自掺杂效应

B.互扩散效应

C.衬底表面没清洗干净的缘故。

D.掺杂气体不纯

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第5题

衬底掺杂浓度NA越高，Vs越大，越易达到强反型。

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第6题

以气相形式输运至衬底，在高温下分解或发生化学反应，在单晶衬底上生长出与衬底取向一致的外延称为（）。

A.气相外延

B.液相外延

C.固相外延

D.分子束外延

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第7题

VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

A.自掺杂效应

B.互扩散效应

C.衬底表面没清洗干净的缘故。

D.掺杂气体不纯

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第8题

VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：

A.自掺杂效应

B.互扩散效应

C.衬底表面没清洗干净的缘故。

D.掺杂气体不纯

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第9题

下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低

A.⑴⑵⑷

B.⑵⑶⑷

C.⑴⑶⑷

D.⑴⑵⑶⑷

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