补偿半导体的形成描述不正确的是（)

A.指同一区域内同时含有施主和受主杂质原子的半导体

B.n型半导体中材料中注入受主杂质原子

C.p型半导体中材料中注入受主杂质原子

D.补偿型半导体性质完全取决于杂质浓度Na与Nd的数目

A.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

B.在本征半导体中掺入施主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子；

C.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得N型半导体，掺杂后空穴为多子，电子为少子；

D.在本征半导体中掺入受主杂质，可以获得P型半导体，掺杂后电子为多子，空穴为少子。

A.半导体中的杂质会局部的破坏晶格的周期性势场，引起载流子的散射。###SXB###B.电离的杂质会引起载流子的散射，从而影响载流子的迁移率。###SXB###C.中性杂质不会对半导体产生影响。###SXB###D.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于所有的杂质都会破坏晶格周期性势场，所以对载流子迁移率的影响是两种杂质浓度之和。###SXB###E.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，由于杂质的补偿作用，对载流子浓度的影响是两种杂质浓度之差。###SXB###F.如果半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，而且施主杂质浓度等于受主杂质浓度，由于杂质的补偿作用，该半导体材料属于本征半导体。###SXB###G.杂质会在半导体的禁带中引入能级。###SXB###H.如果杂质能级较浅，则杂质易于电离，可为半导体提供导电的载流子或改变半导体的导电类型，如掺入硅中的磷。###SXB###I.如果杂质能级较深，则杂质不易于电离，可能形成复合中心或陷阱中心。###SXB###J.如果杂质能级（

A.N型半导体

B.施主杂质

C.P型半导体

D.受主杂质

A.N型半导体

B.施主杂质

C.P型半导体

D.受主杂质