关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（)

A.温度

B.掺杂工艺

C.掺杂浓度

D.压力

A.发射区重掺杂导致杂质能级分裂，禁带宽度变窄，增大

B.发射区重掺杂导致电子浓度升高，增大，发射效率提高

C.俄歇复合增强，空穴寿命减小，扩散长度减小，增大

D.考虑发射效率公式，放大系数减小

A.基区很薄且掺杂浓度低

B.发射区掺杂浓度高

C.集电结面积大

D.发射结正偏，集电结反偏

A.恒定总掺杂剂量

B.不恒定总掺杂剂量

C.恒定杂志浓度

D.不恒定杂志浓度

A.高掺杂

B.低掺杂

C.不掺杂

A.空间电荷区中电场最强的地方是在靠近N区的边界上

B.对于单边突变结，空间电荷区宽度主要向低掺杂一侧扩展

C.平衡时，势垒区两侧正负电荷的总数相等

D.平衡时，一般假设势垒区自由电子密度为零，采用耗尽层近似

A.温度

B.掺杂浓度

C.氧化层厚度

D.非本征德拜长度