300K时，试计算Sn²⁺浓度为0.10mol·L^-1Pb浓度为1.0×10^-3mol·L^-1时下

300K时，试计算300K时电对AgCl/Ag的标准电极电势。

已知300K时： （1)试通过计算说明在300K、标准状态下、Ag₂O（s)能否发生如下分解反应： （2

已知300K时：

(1)试通过计算说明在300K、标准状态下、Ag₂O(s)能否发生如下分解反应：

(2)计算在标准状态下Ag₂O(s)发生分解反应的最低温度。

在T=300K、p=101.3kPa时，HF(g)的密度为3.22g·L^-1。计算其摩尔质量。计算结果与M(HF)理论值是否相符？试解释之。{M(HF)=20g·mol^-1}。

已知某反应的活化能为70kJ·mol^-1，300K时的速率常数为0.1s^-1，试计算

(1)400K时，反应的速率为原来的多少倍？

(2)温度由1000K升高到1100K时，反应速率为1000K时的多少倍？

已知下列数据:

试计算反应H₂(g)+D₂(g)=2HD(g)在300K时的K^θ.

常温下的中子称为热中子，试计算T=300K时热中子的平均动能，由此估算其德布罗意波长。(中子的质量m_n=1.67×10^-27kg。)

设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV,300k时的E_F位于导带底下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。②设n型外延层杂志均匀分布，杂质浓度为4.6x10¹⁵cm^-3,计算300K时的E_F位置和电子空穴浓度。③在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼的浓度为5.2x10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F位置和电子空穴浓度。④如温度升高到500，计算③中电子空穴的浓度。

掺有浓度为每立方米1022硼原子的硅材料，分别计算300K; 600K时 费米能级的位置及多子和少子浓度（本征载流子浓度数值查图3-7)。