(1)电路如图题11.3.1所示，开关调整管T的饱和压降V_CES=1V，穿透电流I_CEO=1mA，v_T是幅

已知电路如图T2.4所示，T₁和T₂管的饱和管压降|V_CES|=3V，V_CC=15V，R_L=8Ω。请选择正确答案。

一双电源互补对称电路如图题8.3.2所示，设已知V_CC=12V，R_L=16Ω，v₁为正弦波。求：(1)在BJT的饱和压降V_CES可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P_om；(2)每个管子允许的管耗P_CM至少应为多少？(3)每个管子的耐压|V_(BR)CEO|应大于多少？

电路如图T1.6所示，已知T₁和T₂的饱和管压降|V_CES|=2V，直流功耗可忽咯不计。回答下列问题：

(1)R₃、R₄和T₃的作用是什么？

(2)负载上可能获得的输出功率P_om和电路的转换效率η各为多少？

电路如图4-87所示。已知电压放大倍数为-100，输入电压v_i为正弦波，T₂和T₃管的饱和压降|V_CES|=1V。试问：

电路如图4.40所示，晶体管的β=50，|U_BE|=0.2V，饱和管压降|U_CES|=0.1V；稳压管的稳定电压U_Z=5V，正向导通电压U_D=0.5V。试问：

A.18W

B.12.5W

C.2.25W

D.25W

电路如图题3.4.1所示，电源v_s=2sinωt(V)，试分别使用二极管理想模型和恒压降模型(V_D=0.7V)分析，绘出负载R_L两端的电压波形，并标出幅值。

变容二极管调频电路如图题7.13所示，变容二极管的非线性特征如图题7.13(b)所示。当调制信号电压为u_Ω(t)=cos(27π×10³t)(V)时，试求：

(1)调频波的载波频率f_c；

(2)最大频偏△f_m。

电路如图题3.4.9所示，D₁、D₂为硅二极管，当v_i=6sinωt(V)时，试用恒压降模型分析电路，画出输出电压v_o的波形。

BJT的输出特性如图题4.3.1所示。(1)求该器件的β值；(2)当i_C=10mA和i_C=20mA时，管子的饱和压降V_CES为多少？

电路如图题3.4.3所示。(1)利用硅二极管恒压降模型求电路的I_D和v_o=V_o=？(V_D=0.7V)；(2)在室温(300K)的情况下，利用二极管的小信号模型求v_o的变化范围。