慢兴奋性突触后电位的产生是由于突触后膜（）

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了()的通透性。

A.Ca2+

B.Cl-

C.K+

D.Na+和K+，尤其是Na+

E.Cl-和K+，尤其是Cl-

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

兴奋性突触后电位(EPSP)的形成是由于突触后膜化学门控通道开放时，______离子内流大于______离子外流而产生的______极化型电位变化；而抑制性突触后电位(IPSP)则是突触后膜上的______通道开放，______离子内流而产生的______极化型电位变化。

兴奋性突触后电位是由于突触后膜对哪些离子通透性升高所致？

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了对下列哪种离子的通透性？

A．Ca2+

B．C1

C．K+

D．Na+和K+，尤其是Na+

E．Cl-和K+，尤其是Cl-

兴奋性突触后电位的产生，是由于下列哪种离子在突触后膜的通透性增高

A．Ca2+

B．Cl-和K+，尤其是Cl-

C．Na+和K+，尤其是Na+

D．K+

兴奋性突触后电位的产生，是由于突触后膜提高了何种离子的通透性()

A．K+、Na+、Cl-，尤其是K+

B．K+、Na+、Cl-，尤其是C1-

C．K+、Na+、C1-，尤其是Na+

D．K+、C1-，尤其是C1-