电流源电路如下图所示，VDD=＋5V，－VSS=－5V，T1～T5为特性相同的NMOS管，VT=2V，KN2=KN3=KN4=KN5=0.25mA／V2，KN1=0.

电路如下图所示。设电流源电流I=0.5mA、V_DD=V_SS=5V，R_d=9kΩ，C_s很大，对信号可视为短路。场效应管的V_T=0.8V，K_N=1mA/V²，输出电阻r_ds=∞。试求电路的小信号电压增益A_v。

电路如下图所示，设R₁=R₂=100kΩ，V_DD=5V，R_d=7.5kΩ，V_T=-1V，K_p=0.2mA/V²。试计算下图所示P沟道增强型MOSFET共源极电路的漏极电流I_D和漏源电压V_DS。

电路如下图所示，设R_g1=90kΩ，R_g2=60kΩ，R_d=30kΩ，V_DD=5V，V_T=1V，K_N=0.1mA/V²。试计算电路的栅源电压V_GS和漏源电压V_DS。

C_s很大，对信号可视为短路。场效应管的V_TS=0.8V，K_N=1mA/V，输出电阻r_ds=∞。试求电路的小信号电压增益A_F。