某半导体14KB，按字节编址，其中0000H－1FFFH为ROM区，2000H－37FFH为RAM区，地址总线A15－A0（低)，双向数据总线D7－D0（低)，读写控制线R／W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB／片)和RAM（2K×4位／片)。需要RAM芯片数量为（)

某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。需要RAM芯片数量为

某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。需要RAM芯片数量为（）

某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。需要RAM芯片数量为

21、某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。 请填写下列问题的答案： （1）符合要求的芯片选择方案是__________。 --限填大写字母A、B、C或者D A. EPROM芯片1片、RAM芯片3片； B. EPROM芯片1片、RAM芯片6片； C. EPROM芯片2片、RAM芯片3片； D. EPROM芯片2片、RAM芯片6片；

21、某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。 请填写下列问题的答案：（）符合要求的芯片选择方案是__________。 --限填大写字母A、B、C或者D A. EPROM芯片1片、RAM芯片3片； B. EPROM芯片1片、RAM芯片6片； C. EPROM芯片2片、RAM芯片3片； D. EPROM芯片2片、RAM芯片6片；

某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。 [单选] 对各组芯片的片选逻辑表达式描述，正确的是（） A.低地址端的RAM芯片组，片选逻辑是：A15非·A14非·A13非·A12非·A11非； B.高地址端的RAM芯片组，片选逻辑是：A15非·A14非·A13·A12·A11非； C.低地址端EPROM芯片，片选逻辑是：A15非·A14非·A13非·A12； D.高地址端EPROM芯片，片选逻辑是：A15非·A14非·A13非·A12非；

某半导体14KB，按字节编址，其中0000H-1FFFH为ROM区，2000H-37FFH为RAM区，地址总线A15-A0（低)，双向数据总线D7-D0（低)，读写控制线R/W。可选用的存储芯片有EPROM（4kB/片)和RAM（2K×4位/片) 。 [单选] 对各组芯片的片选逻辑表达式描述，正确的是（） A.低地址端的RAM芯片组，片选逻辑是：A15非·A14非·A13非·A12非·A11非； B.高地址端的RAM芯片组，片选逻辑是：A15非·A14非·A13·A12·A11非； C.低地址端EPROM芯片，片选逻辑是：A15非·A14非·A13非·A12； D.高地址端EPROM芯片，片选逻辑是：A15非·A14非·A13非·A12非；

某计算机按字节编址，指令字长固定且只有两种指令格式，其中三地址指令29条，二地址指令107条，每个地址字段为6位，则指令字长至少应该是（）。

10、某计算机按字节编址，指令字长固定且只有两种指令格式，其中三地址指令29条，二地址指令107条，每个地址字段为6位，则指令字长至少应该是______。